文｜半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
Q2，存儲芯片市場是炙熱的。
在今年第二季度的第一天，也就是 4 月 1 日開始，存儲芯片的漲價信號正式釋放。市場此前的消極、低迷情緒隨之改變。
受原廠減產(chǎn)推動，其價格持續(xù)上行。NAND芯片價格開始回溫，DDR4價格一漲再漲，HBM市場的競爭也步入白熱化。
市場的熱度，正通過 SK 海力士、三星和美光這三大存儲公司的二季度財報具體呈現(xiàn)。與此同時，本輪市場行情的最大贏家也逐步清晰。
01、SK海力士，首次奪冠
SK海力士Q2營業(yè)收入為22.232萬億韓元（約161.7億美元）,同比增長35%，營業(yè)利潤為9.2129萬億韓元，同比暴漲69%，凈利潤為6.9962萬億韓元，同比增長70%。該季度SK海力士營收與營業(yè)利潤均創(chuàng)下季度業(yè)績歷史新高。
此前Counterpoint 高級研究員 Choi Jeong-ku 曾表示：“SK 海力士在 2023 年第一季度遭遇了史上最大季度虧損和減產(chǎn)的痛苦，但隨著 2024 年第一季度實現(xiàn)了 HBM3E 的全球首次量產(chǎn)，開啟了強勁的上升勢頭。SK 海力士在 2025 年第一季度首次創(chuàng)下了 DRAM 市場銷售額全球第一的紀(jì)錄，并在 2025 年第二季度與三星爭奪整體存儲市場第一的位置。”
如今，這一答案已然揭曉。在Q1取得里程碑式成績后，Q2 SK海力士首次在全球存儲市場銷售中超越三星。
三星也于7月最后一天公布了Q2財報。不同于SK海力士的一路高漲，三星這邊卻寒意正濃。
三星Q2營收為74.6萬億韓元(約合536.5億美元)，環(huán)比減少6%，同比增長1%；經(jīng)營利潤4.7萬億韓元(約合33.8億美元)，環(huán)比減少30%，同比大減56%；凈利潤5.1萬億韓元(約合36.7億美元)，環(huán)比減少38%，同比減少48%。
具體業(yè)務(wù)方面，三星電子Q2存儲營收為21.2萬億韓元(約合152.5億美元)，環(huán)比增長11%，同比減少3%。存儲業(yè)務(wù)所在的DS部門Q2營收27.9萬億韓元(約合200.7億美元)，環(huán)比增長11%，同比減少2%，經(jīng)營利潤為0.4萬億韓元(約合2.9億美元)，環(huán)比減少64%，同比減少94%，為近六季以來首度跌破萬億韓元大關(guān)。
美光2025財年第三財季財報（截至2025年5月29日）顯示，該季度營收為93.01億美元，環(huán)比增長15.5%，同比增長36.6%；調(diào)整后運營收益24.9億美元，同比增長62%；凈利潤為18.85億美元，環(huán)比增長19%，同比暴增468%。
02、這類存儲芯片，引爆市場
在存儲芯片市場HBM是當(dāng)之無愧的香餑餑，但是令人意外的是，DDR4也在上季度卷入這場熱潮。
DDR4，缺貨仍嚴(yán)重
5月起，DDR4開始供需失衡，7月底缺貨情形達到新的高峰，價格明顯上漲。DDR4迅速漲價，是因為此前占據(jù)該系列產(chǎn)品全球市場份額約95%的三星、SK海力士、美光三大存儲巨頭宣布加速淡出DDR4產(chǎn)能，引發(fā)市場恐慌性備貨。
而這三大原廠計劃退出DDR4市場是因為計劃將產(chǎn)能向高端產(chǎn)品，比如HBM3E等產(chǎn)品傾斜。要知道HBM3E毛利率超60%，是DDR4的3倍以上，隨著AI服務(wù)器需求持續(xù)火爆，HBM3E有望帶來更可觀的收入。
當(dāng)前 DDR4 報價已高于更高規(guī)格的 DDR5，出現(xiàn) “價格倒掛” 現(xiàn)象，業(yè)界人士直言 “DDR4 現(xiàn)貨價超過新一代 DDR5 的奇觀已十年未見”。
盡管巨頭們退場，但DDR4在多個領(lǐng)域仍有著龐大的需求。2024年，全球DRAM市場規(guī)模約973億美元，DDR4占比40%，約389億美元。在利基細分市場，全球規(guī)模約95.7億美元，中國占據(jù)60%份額。其中，車用領(lǐng)域ADAS、車載娛樂系統(tǒng)需求穩(wěn)定，2024年全球車用DRAM市場規(guī)模約35億美元，DDR4占比超70%；工業(yè)領(lǐng)域智能制造設(shè)備、工業(yè)機器人需求剛性，市場規(guī)模約28億美元，DDR4占比超80%。
巨頭退出后，全球DDR4有效供給預(yù)計下降50%-60%，消費電子領(lǐng)域降幅超70%，不過車用、工業(yè)領(lǐng)域因保留供應(yīng)，降幅約20%-30%。
那么為什么下游客戶不趁此機會轉(zhuǎn)向DDR5？這是因為在成本考量中，盡管DDR5是未來趨勢，但在工業(yè)控制、安防監(jiān)控、電視機頂盒等對性能要求不高、但對穩(wěn)定性和兼容性要求極高的利基市場，DDR4仍是更具性價比的選擇。
市場分析指出，7月底是DDR4缺貨最嚴(yán)峻的時期，此后供需缺口將逐步收斂。但DDR4需求走低可能要等到2026年——預(yù)計2025年下半年至2026年上半年，部分應(yīng)用仍將持續(xù)消耗DDR4庫存，真正大規(guī)模轉(zhuǎn)向DDR5或需等到2026年下半年。
隨著DDR4價格的持續(xù)走高，這些芯片龍頭似乎也有些“坐不住”了。最新市場報告顯示，主要的韓國制造商可能會放緩DDR4的停產(chǎn)計劃。
一些內(nèi)存模塊供應(yīng)商透露，SK海力士在停產(chǎn)態(tài)度上略有軟化，最終訂單的截止日期可能延長至2026年第四季度。
三星已討論通過2026年第二季度延長使用1z和1a工藝節(jié)點的DDR4晶圓供應(yīng)。然而，三星電子拒絕就生產(chǎn)計劃傳聞發(fā)表評論。
HBM訂單，搶得眼紅
HBM作為一款高收益+高需求的產(chǎn)品，沒有一家存儲公司看著不眼饞。然而，市場研究機構(gòu)Counterpoint Research的數(shù)據(jù)顯示，在當(dāng)前的HBM市場中，單單是SK海力士一家就包攬了62%的出貨份額，而三星的市場份額僅為17%。
SK海力士與三星的增長軌跡在2024年上半年開始明顯分化，至于分化的原因，還要從HBM3的量產(chǎn)開始。
由于HBM3開發(fā)進度領(lǐng)先于競爭對手，之前很長一段時間內(nèi)，SK海力士都是英偉達HBM的獨家供應(yīng)商。雖說之后英偉達將另外兩大存儲芯片原廠也納入了HBM供應(yīng)商名單，但SK海力士仍占據(jù)重要地位。
隨后在2024年3月，SK海力士宣布成功量產(chǎn)超高性能用于AI的存儲器新產(chǎn)品HBM3E，并在3月末開始向客戶供貨。相比之下，三星雖推出HBM3E 產(chǎn)品，但因未獲英偉達認證，HBM 銷售額占DRAM收入較低。
于是由HBM3E帶來的豐厚收益大都被SK海力士收入囊中。單單是2024年上半年，SK海力士的HBM銷售額就增長了250%以上。
盡管已經(jīng)輸?shù)袅说谝粓龈偁帲且言诘诙喐偁幹忻懔狻?/p>
如今三星押注其 12 層 HBM3E 向 SK 海力士展開正面競爭。據(jù)韓媒報道，12層HBM3E是利用硅通孔（TSV）技術(shù)將DRAM存儲芯片堆疊到12層，這也成為下半年AI半導(dǎo)體市場重要戰(zhàn)場。
三星表示HBM3E可望于第三季獲得英偉達認證并開始出貨，待相關(guān)程序完成后，將可望量產(chǎn)供貨。SK海力士也加入競爭行列，準(zhǔn)備第三季量產(chǎn)12層HBM3E產(chǎn)品。據(jù)報道，SK海力士目前向英偉達供應(yīng)之前的8層HBM3E，但尚未收到12層版本的驗證申請。
不過，僅僅是12層HBM3E通過英偉達認證還遠遠不夠，畢竟在HBM這條道路上，SK海力士已占盡先機。
據(jù)悉，為應(yīng)對HBM需求激增，SK海力士正籌備在清州M15工廠增設(shè)HBM專用后工序產(chǎn)線，這是該工廠第二次增設(shè)HBM后工序產(chǎn)線。此前，SK海力士已在M15建立HBM硅通孔（TSV）加工產(chǎn)線。
除了上述三家存儲芯片龍頭外，近日幾家國產(chǎn)存儲芯片公司也拿出今年上半年的答卷。
03、國產(chǎn)存儲公司，交出答卷
DDR4爆火之際，國產(chǎn)存儲芯片公司也有了“可乘之機”。
兆易創(chuàng)新的19nm DDR4芯片受到了工控客戶的搶購，瀾起科技DDR4內(nèi)存接口芯片需求激增。江波龍旗下Lexar品牌的DDR4內(nèi)存條覆蓋消費級和企業(yè)級市場。德明利也提供DDR3、DDR4存儲等等。
近日，瀾起科技和德明利均公布了Q2業(yè)績預(yù)告，一起看看Q2存儲市場的火熱是否在這些公司的財報中得到體現(xiàn)？
7月14日，瀾起科技披露業(yè)績預(yù)告，公司預(yù)計2025年上半年實現(xiàn)營業(yè)收入26.33億元，較上年同期增長約58.17%，扣除非經(jīng)常性損益后歸屬于母公司股東的凈利潤約為10.30億元至11.20億元，較上年同期增長約89.17%至105.71%。
這份亮眼財報的背后是全球AI浪潮下瀾起科技核心產(chǎn)品DDR5內(nèi)存接口及模組配套芯片出貨量顯著增長，且第二子代和第三子代RCD芯片出貨量占比增加，推動公司內(nèi)存接口及模組配套芯片銷售收入大幅增長。
7月9日晚間，德明利發(fā)布2025年上半年業(yè)績預(yù)告，公司預(yù)計上半年實現(xiàn)營業(yè)收入約38億元至42億元，同比增長74.63%至93.01%，歸母凈利潤預(yù)計為-8000萬元至-12000萬元。
公告顯示，報告期內(nèi)德明利營收同比大幅增長，主要得益于存儲芯片市場供需結(jié)構(gòu)的持續(xù)改善及公司高端產(chǎn)品布局成效的持續(xù)釋放。其中2025年Q2營收規(guī)模增速亮眼，預(yù)計實現(xiàn)營業(yè)收入25.48億元至29.48億元，同比增幅超過86.67%。
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期性波動與地緣政治因素交織影響下，Q2存儲器市場呈現(xiàn)超預(yù)期反彈態(tài)勢。TrendForce集邦咨詢此前數(shù)據(jù)顯示，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。
此外，TrendForce還公布了NAND Flash在今年Q3的價格走勢，數(shù)據(jù)顯示，Q3 NAND Flash合約價環(huán)比增長5%至10%。
不過，仍需重視的是盡管國際大廠的退出讓出了市場空間，但本土廠商依然面臨許多現(xiàn)實挑戰(zhàn)。比如，目前國內(nèi)企業(yè)與國際巨頭在 HBM以及最先進的DRAM制程等高性能存儲領(lǐng)域，仍存在一定差距。