全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)張，2025年銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)達(dá)1330億美元，同比增長(zhǎng)13.7%，創(chuàng)歷史新高。SEMI指出，增長(zhǎng)主要由人工智能相關(guān)投資驅(qū)動(dòng)，涵蓋先進(jìn)邏輯、存儲(chǔ)及先進(jìn)封裝技術(shù)。其中，晶圓廠設(shè)備（WFE）領(lǐng)域在2024年創(chuàng)下1040億美元紀(jì)錄后，預(yù)計(jì)2025年將增長(zhǎng)11.0%至1157億美元，主要得益于DRAM及HBM投資強(qiáng)于預(yù)期，中國(guó)地區(qū)的持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)亦為重要推動(dòng)力。此外，后端設(shè)備復(fù)蘇勢(shì)頭強(qiáng)勁，2025年測(cè)試設(shè)備銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)激增48.1%至112億美元，封裝設(shè)備銷(xiāo)售額增長(zhǎng)19.6%至64億美元，驅(qū)動(dòng)力來(lái)自器件架構(gòu)復(fù)雜度提升與AI對(duì)高性能存儲(chǔ)的嚴(yán)苛要求。
海外動(dòng)態(tài)方面，三星電子的第四代高帶寬內(nèi)存（HBM4）在英偉達(dá)下一代人工智能加速器 “Vera Rubin” 的測(cè)試中斬獲最高分。此外，美國(guó)聯(lián)邦貿(mào)易委員會(huì)（FTC）已批準(zhǔn)英偉達(dá)對(duì)英特爾的投資，但未披露交易的具體細(xì)節(jié)。今年9月，英偉達(dá)宣布將向陷入困境的英特爾投資50億美元，此舉被視為對(duì)本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要支持。
國(guó)內(nèi)方面，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)制造商正加速推進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)與技術(shù)升級(jí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢第三座工廠預(yù)計(jì)2027年投產(chǎn)，規(guī)劃月產(chǎn)能15萬(wàn)片晶圓，設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率目標(biāo)達(dá)50%；長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)則已啟動(dòng)高端DRAM量產(chǎn)計(jì)劃，其LPDDR5X產(chǎn)品已于2025年10月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，采用16納米工藝并支持最高10.7Gbps運(yùn)行速度。隨著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商在中高端產(chǎn)品領(lǐng)域的突破以及產(chǎn)能擴(kuò)張?zhí)崴?，北方華創(chuàng)、中微公司等國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)有望持續(xù)獲得新訂單，驅(qū)動(dòng)收入增長(zhǎng)。招商證券指出，2026-2027年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)及先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)有望提速，國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商將迎來(lái)國(guó)產(chǎn)化率快速提升的關(guān)鍵階段。
AI需求持續(xù)爆發(fā)推動(dòng)存儲(chǔ)芯片價(jià)格進(jìn)入上行通道，華興證券進(jìn)一步上調(diào)2026年第一季度服務(wù)器DDR5和ESSD合約價(jià)漲幅預(yù)期，分別達(dá)到環(huán)比上漲40%和30%。其中，中高端96GB及以上DDR5 RDIMM產(chǎn)品漲幅尤為突出，主要受益于谷歌、Meta等云服務(wù)廠商在ASIC產(chǎn)品中對(duì)DDR5的重度依賴，疊加2026年ASIC出貨量攀升趨勢(shì)明確。NAND方面，由于新增產(chǎn)能釋放周期較長(zhǎng)，2026年ESSD產(chǎn)能增長(zhǎng)仍主要依賴SK海力士、三星電子和美光等頭部廠商提升現(xiàn)有產(chǎn)線利用率，供給緊張格局有望延續(xù)。
受益于AI驅(qū)動(dòng)下全球高帶寬存儲(chǔ)（HBM）市場(chǎng)需求迅猛增長(zhǎng)，TECHCET預(yù)測(cè)HBM單位比特所需晶圓面積是傳統(tǒng)DRAM的三倍以上，顯著提升對(duì)半導(dǎo)體材料的消耗量。光大證券認(rèn)為，具備光刻膠、濕電子化學(xué)品、電子特氣等領(lǐng)域技術(shù)積累且深度對(duì)接下游晶圓廠的材料供應(yīng)商將充分受益于國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程加速。
場(chǎng)內(nèi)ETF方面，截至2025年12月22日 10:16，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)強(qiáng)勢(shì)上漲4.11%，芯片設(shè)備ETF(560780)上漲4.06%。成分股珂瑪科技20cm漲停，上海新陽(yáng)上漲13.25%，聯(lián)動(dòng)科技上漲8.88%。前十大權(quán)重股合計(jì)占比64.75%，其中權(quán)重股長(zhǎng)川科技上漲7.94%，拓荊科技上漲6.60%，中科飛測(cè)上漲6.18%，芯源微、北方華創(chuàng)等個(gè)股跟漲。
規(guī)模方面，截至2025年12月19日，芯片設(shè)備ETF近3月規(guī)模增長(zhǎng)10.14億元，實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。份額方面，芯片設(shè)備ETF近3月份額增長(zhǎng)6.00億份，實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。
芯片設(shè)備ETF(560780)：緊密跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，根據(jù)申萬(wàn)三級(jí)行業(yè)分類(lèi)，指數(shù)重倉(cāng)半導(dǎo)設(shè)備超60%、半導(dǎo)體材料超20%，合計(jì)權(quán)重超80%。涵蓋中微公司、北方華創(chuàng)、拓荊科技等設(shè)備龍頭公司。場(chǎng)外聯(lián)接(A：020639；C：020640)。