文 | 初曉萌

近日，山東天岳先進科技股份有限公司（688234，以下簡稱“天岳先進”）發(fā)布了2021年年度報告，報告期內(nèi)公司實現(xiàn)營業(yè)收入44.94億元，同比增長16.25%；歸屬于上市公司股東的凈利潤8995.15萬元，相較上年同期扭虧為盈。

根據(jù)《上海證券交易所科創(chuàng)板股票上市規(guī)則》等相關(guān)規(guī)則，天岳先進2021年度歸屬于母公司股東的凈利潤及扣除非經(jīng)常性損益后歸屬于母公司股東的凈利潤均為正，符合“上市時未盈利企業(yè)首次實現(xiàn)盈利”的情形，公司A股股票簡稱于4月6日取消特別標識，由“天岳先進-U”變更為“天岳先進”，A股股票代碼688234保持不變。

作為國內(nèi)“碳化硅第一股”，天岳先進在其上市后的首份年報中，就交出了營收穩(wěn)健增長、凈利扭虧為盈的成績單。在這樣的成績背后，天岳先進做了什么？

營收凈利雙增，成功實現(xiàn)摘“U”

界面山東了解到，天岳先進成立于2010年11月，2022年1月12日在上海證券交易所科創(chuàng)板發(fā)行上市，募集資金總額約35億元，成為國內(nèi)“碳化硅第一股”，并受到市場的持續(xù)關(guān)注。根據(jù)上交所科創(chuàng)板相關(guān)規(guī)定，天岳先進2020年歸屬于母公司股東的凈利潤為-64,161.32萬元，扣除非經(jīng)常性損益后歸屬于母公司股東的凈利潤為2,268.78萬元，屬于上市時未盈利企業(yè)，因此自公司上市之日起，A股股票簡稱特別標識為“天岳先進-U”。

2022年3月31日晚間，天岳先進發(fā)布2021年年度報告，交出了上市之后的第一份成績單。

年報顯示，2021年天岳先進實現(xiàn)營業(yè)收入44.94億元，同比增長16.25%；歸屬于上市公司股東的凈利潤8995.15萬元，較上年同期增加7.31億元，同比大幅度扭虧為盈；基本每股收益0.23元。根據(jù)國際知名行業(yè)咨詢機構(gòu)yole報告統(tǒng)計，截至2021年，天岳先進在半絕緣碳化硅襯底領(lǐng)域，市場占有率連續(xù)三年保持全球前三。

這份“亮眼”的成績單，使得天岳先進滿足上交所科創(chuàng)板相關(guān)規(guī)定，符合“上市時未盈利企業(yè)首次實現(xiàn)盈利”的條件，公司A股股票簡稱于4月6日取消特別標識，由“天岳先進-U”變更為“天岳先進”，成功實現(xiàn)摘“U”。

第三代半導體的崛起

作為科創(chuàng)板新軍，天岳先進不僅打響了上市后的“第一槍”，也讓資本市場看到了其布局半導體行業(yè)的野心。

據(jù)Choice數(shù)據(jù)統(tǒng)計，天岳先進上周融資買入交易規(guī)模2178.51萬元，融資償還規(guī)模1674.38萬元，期內(nèi)融資凈買入504.13萬元。截止4月10日，天岳先進融資融券余額1.31億元，其中融資余額規(guī)模1.08億元，融券余額規(guī)模2302.38萬元。兩融余額延續(xù)增長態(tài)勢，融資余額已連續(xù)兩周增長累計達943.81萬元，在所屬半導體板塊中，天岳先進上周融資凈買入額排名第九。

界面山東了解到，碳化硅襯底是天岳先進的核心產(chǎn)品及主要收入來源，屬于第三代半導體的上游。自2010年成立以來，經(jīng)過十余年的技術(shù)積累，天岳先進已成為一家國內(nèi)領(lǐng)先的寬禁帶半導體（第三代半導體）襯底材料生產(chǎn)商。

值得關(guān)注的是，目前90%以上的半導體產(chǎn)品是用硅基材料制作的，在行業(yè)內(nèi)被統(tǒng)稱為第一代半導體。而第三代半導體材料則是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表，某種程度上，具備更好的物理性能，比如耐高溫、高電壓、高頻率等場景。

根據(jù)TrendForce最新報告預計，第三代功率半導體的產(chǎn)值將從2021年的9.8億美元，增長至2025年的47.1億美元，年復合成長率可達48%。

第三代半導體產(chǎn)業(yè)之所以迎來商業(yè)化爆發(fā)的契機，源自于政策與市場的雙輪驅(qū)動。

從政策端來看，第三代半導體是實現(xiàn)“碳達峰、碳中和”目標的重要助力元素。

隨著國家2030計劃和“十四五”國家研發(fā)計劃的明確，第三代半導體成為重要的發(fā)展方向。一方面，近年來在國家多次出臺行業(yè)扶持政策，重點支持第三代半導體產(chǎn)業(yè)，解決半導體行業(yè)“卡脖子”的問題；另一方面，各地政府也積極參與到第三代半導體項目的投資建設(shè)當中。

從市場端來看，下游應用需求高起，導致第三代半導體在新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域起量?？斐溲b置、輸變電系統(tǒng)、軌道交通、電動汽車和充電樁等都需要大功率、高效率的電力電子器件，基于SiC、GaN的電子電力器件因其物理性能優(yōu)異在相關(guān)市場備受青睞。

隨著技術(shù)的進步及下游市場的拉動，第三代半導體已經(jīng)具備產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)。因為投資規(guī)模相對較低，產(chǎn)業(yè)鏈不再集中于一、二線城市，而是全國遍地開花。根據(jù)《火熱的投資環(huán)境以及政策保障下，我國SIC產(chǎn)業(yè)已完成基本布局》一文整理的數(shù)據(jù)顯示，2018-2020年，我國僅SiC項目政府投資達到32個，計劃投資金額超過700億。

在雙碳政策不斷推進的背景下，第三代半導體需求快速增長，以碳化硅為代表的半導體技術(shù)，有成為可能成為國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)彎道超車的契機。

立足碳化硅襯底材料領(lǐng)域深耕十余年

在行業(yè)高景氣度之下，碳化硅襯底正是天岳先進的聚焦點所在。

十年磨一劍，天岳先進在碳化硅襯底領(lǐng)域積累了深厚的技術(shù)實力。

自2010年成立以來，天岳先進承擔了國家核高基重大專項（01專項）項目、國家新一代寬帶無線移動通信網(wǎng)重大專項（03專項）項目、國家新材料專項、國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃（863計劃）項目、國家重大科技成果轉(zhuǎn)化專項等多項國家和省部級項目，并于2019年中標國家電網(wǎng)的采購計劃。

據(jù)天岳先進年報，2021年公司研發(fā)費用7,373.61萬元，占營業(yè)收入的14.93%，研發(fā)費用同比增加了62.05%。截至2021年12月末，公司及下屬子公司擁有專利授權(quán)415項，其中境內(nèi)發(fā)明專利98項，實用新型專利授權(quán)312項，境外發(fā)明專利授權(quán)5項，走在國內(nèi)碳化硅襯底領(lǐng)域前列。

界面山東了解到，對于碳化硅器件而言，襯底產(chǎn)能是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。由于價值占比、供應鏈、技術(shù)、專利壁壘高，襯底不僅是碳化硅晶圓產(chǎn)能的關(guān)鍵制約點，也是整體產(chǎn)業(yè)放量的決定性因素。

2020年以來，我國加快“新基建”建設(shè)力度，隨著5G基站建設(shè)、電動汽車、充電樁等行業(yè)的發(fā)展推進，將促進我國上游半導體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展，進一步提高國內(nèi)半導體企業(yè)在國際市場的影響力，尤其對碳化硅器件將產(chǎn)生巨大的需求。

為了迎接導電型襯底市場的爆發(fā)、消除產(chǎn)能制約，天岳先進正加速推進其上海臨港項目。

2021年，天岳先進募投“碳化硅半導體材料項目”在上海臨港正式開工建設(shè)，該項目納入國家布局，且被上海市政府列為2021年、2022年上海市重大建設(shè)項目。據(jù)了解，該項目主要用于生產(chǎn)6英寸導電型碳化硅襯底材料，滿足下游電動汽車、新能源并網(wǎng)、智能電網(wǎng)、儲能、開關(guān)電源等碳化硅電力電子器件應用領(lǐng)域的廣泛需求。預計2022年三季度實現(xiàn)一期項目投產(chǎn)，并計劃于2026年達產(chǎn)，達產(chǎn)后將新增碳化硅襯底材料產(chǎn)能約30萬片/年，是目前天岳先進產(chǎn)能的6倍之多，將有效緩解產(chǎn)能不足。

目前，碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)的發(fā)展正處于開啟科創(chuàng)引領(lǐng)、數(shù)智賦能的“大周期”，駛?cè)胝吲c市場雙輪驅(qū)動的“新賽道”。與此同時，也意味著產(chǎn)業(yè)內(nèi)外環(huán)境面臨著巨大的不確定性，但對于企業(yè)而言，這恰恰是亮功底、展實力、見真章的關(guān)鍵窗口期。

打響上市后“第一槍”的天岳先進，唯有以科技創(chuàng)新為關(guān)鍵變量，錨定產(chǎn)業(yè)核心價值，在發(fā)展中規(guī)避風險，方能“避險于未發(fā)，制勝于無形”，從容把握和應對市場和外界未知的危與機。