記者｜張喬遇

發(fā)明專利、核心技術(shù)以及研發(fā)實力系監(jiān)管對于科創(chuàng)板IPO排隊公司審核過程重點關(guān)注的問題。

近日，闖關(guān)科創(chuàng)板的蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱：鍇威特）進入問詢階段，兩輪問詢中上交所對于鍇威特的技術(shù)先進性及市場競爭力，發(fā)明專利、技術(shù)來源等重點提出共12小問，公司科創(chuàng)實力如何？

監(jiān)管兩輪質(zhì)疑技術(shù)先進性

公司主營業(yè)務(wù)為功率半導(dǎo)體的設(shè)計、研發(fā)和銷售，并提供相關(guān)技術(shù)服務(wù)。主要產(chǎn)品包含功率器件及功率IC兩大類，此外公司還通過技術(shù)服務(wù)來獲得收入。

功率器件是鍇威特營收的核心，產(chǎn)品以高壓平面MOSFET為主，并在此基礎(chǔ)上設(shè)計研發(fā)了集成快恢復(fù)高壓功率MOSFET（FRMOS）系列產(chǎn)品。平面MOSFET產(chǎn)品包括集成快速恢復(fù)高壓功率MOSFET（FRMOS）系列產(chǎn)品。

芯謀研究數(shù)據(jù)顯示，鍇威特2021年平面MOSFET國內(nèi)市場占有率約為3.14%；Omdia數(shù)據(jù)測算2020年鍇威特FRMOS產(chǎn)品的國內(nèi)市場占有率約為6%，位列本土第四位。

平面MOSFET及其涵蓋的FRMOS悉鍇威特收入主力，但卻遭到了上交所兩輪技術(shù)先進性問詢，針對該產(chǎn)品的市場競爭情況、核心技術(shù)、發(fā)明專利、研發(fā)周期等多方面要求鍇威特進行說明。

核心技術(shù)以及發(fā)明專利系監(jiān)管質(zhì)疑重點之一。據(jù)招股書披露，公司共有10項核心技術(shù)，其中存在4項核心技術(shù)對應(yīng)為非專利技術(shù)，且應(yīng)用的產(chǎn)品主要為公司核心FRMOS、平面MOSFET產(chǎn)品。

截至招股書簽署日，鍇威特獲授權(quán)的發(fā)明專利共8項。其中5項為公司成立當(dāng)年取得，1項為2016年取得，2項為2020年、2021年取得，其中7項形成了主營業(yè)務(wù)收入。

在一輪問詢函的回復(fù)中，鍇威特截至2022年8月31日的境內(nèi)發(fā)明專利又獲批4項，共12項，但12項發(fā)明專利中，也僅有2項發(fā)明專利系應(yīng)用于MOSFET產(chǎn)品，其余發(fā)明專利均主要應(yīng)用于功率IC產(chǎn)品，且公司在研項目大部分均與功率IC有關(guān)。招股書顯示，2019年至2021年，鍇威特功率IC產(chǎn)品收入占主營業(yè)務(wù)收入的比重分別只有2.00%、2.41%和5.76%。

根據(jù)二輪問詢函的回復(fù)中，公司表示MOSFET產(chǎn)品共涉及4項非專利技術(shù)和8項專利技術(shù)。

但界面新聞記者注意到，公司列舉的8項專利技術(shù)涉及的發(fā)明專利共10項。其中已獲得授權(quán)的發(fā)明專利僅3項，其余7項發(fā)明專利均處于在審階段。

三項發(fā)明專利分別對應(yīng)招股書中“一種集成耗盡型啟動器件的功率MOS場效應(yīng)管”、“一種利用Power MOS管實現(xiàn)高壓快速啟動的AC-DC開關(guān)電源用供電電路”、“一種集成肖特基二極管的短溝道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”。

根據(jù)這三項發(fā)明專利在主營業(yè)務(wù)中的運用情況顯示，除“一種利用Power MOS管實現(xiàn)高壓快速啟動的AC-DC開關(guān)電源用供電電路”發(fā)明專利應(yīng)用于功率器件及功率IC產(chǎn)品且收入貢獻占比超50%外，其余兩項與MOSFET有關(guān)的發(fā)明專利貢獻極低。

其中，“一種集成耗盡型啟動器件的功率MOS場效應(yīng)管”主要應(yīng)用于功率器件產(chǎn)品，2019年至2022年1-6月的主營業(yè)務(wù)收入貢獻占比分別為2.71%、1.47%、2.71%和2.93%，專利收入貢獻較低。

公司解釋原因系：其一，該項專利相關(guān)產(chǎn)品屬于耗盡型MOSFET，該類產(chǎn)品只應(yīng)用于部分要求低待機功耗的系統(tǒng)中，其市場需求相對增強型MOSFET來說占比較低，發(fā)行人功率器件主要為增強型MOSFET；其二，該專利相關(guān)產(chǎn)品電流較小，其單價本身較低。

另“一種集成肖特基二極管的短溝道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”應(yīng)用于集成肖特基二極管的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，但目前尚未形成主營業(yè)務(wù)收入。

實控人、部分核心技術(shù)人員來自無錫硅動力

公司核心技術(shù)人員相關(guān)情況也受到了監(jiān)管關(guān)注。

招股書顯示，鍇威特的實際控制人系丁國華，丁國華直接持有公司20.26%的股份，并通過一致行動協(xié)議及員工持股平臺間接控制公司合計62.93%的表決權(quán)。

鍇威特成立于2015年1月，丁國華2015年9月至今歷任公司的總裁、董事長，丁國華也是公司的核心技術(shù)人員。值得注意的是，在鍇威特任職期間，丁國華同時還兼任無錫硅動力高管。

招股書顯示，2000年9月至2003年4月任無錫硅科動力技術(shù)有限公司副董事長，2003年6月至2015年8月歷任無錫硅動力微電子股份有限公司副董事長、董事長、總經(jīng)理、副總經(jīng)理等職，2003年6月至2019年1月任無錫硅動力微電子股份有限公司董事。

同時，公司董事、副總經(jīng)理、研發(fā)部總經(jīng)理譚在超也曾于2007年11月至2012年10月在無錫硅動力任研發(fā)部經(jīng)理一職，2015年3月起開始在公司任職。

根據(jù)公司問詢回復(fù)，鍇威特還存在6名員工曾在無錫硅動力任職。上述8名員工中丁國華與無錫硅動力曾簽署《保密協(xié)議書》、涂才根于無錫硅動力離職時簽署有《離職保密承諾書》；張瑰艷與琪鑫瑞微電子科技無錫有限公司存在保密約定。

據(jù)鍇威特回復(fù)，丁國華與無錫硅動力簽署的《保密協(xié)議書》已隨著丁國華的勞動關(guān)系解除而終止；張瑰艷遇徐才根不存在違反保密協(xié)議約定及侵犯無錫硅動力知識產(chǎn)權(quán)的情形。

無錫硅動力主要從事以AC-DC芯片和DC-DC芯片為主的數(shù)?；旌想娫垂芾鞩C的研發(fā)、設(shè)計、測試和銷售，其產(chǎn)品AC-DC芯片主要應(yīng)用于消費類快充充電器和電源適配器等，DC-DC芯片主要應(yīng)用于車載類快充充電器等。無錫硅動力全稱無錫硅動力微電子股份有限公司，簡稱：硅動力，目前也正闖關(guān)科創(chuàng)板，已進入一輪問詢階段。

此外，公司核心技術(shù)人員張勝于2018年3月入職，存在入職后不久即參與公司發(fā)明專利申請的情形。

對此，保薦機構(gòu)、發(fā)行人律師會同保薦機構(gòu)向其前任職單位無錫中感微電子股份有限公司（以下簡稱“無錫中感微”）發(fā)送《確認函》，就張勝是否存在屬于無錫中感微的職務(wù)發(fā)明情形進行詢證，截至本回復(fù)出具日，尚未取得無錫中感微的回復(fù)。