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DDR5,漲勢放緩

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DDR5,漲勢放緩

相較于DDR4產品,DDR5產品的現(xiàn)貨價格漲幅依然較小。

文|半導體產業(yè)縱橫

相較于DDR4產品,DDR5產品的現(xiàn)貨價格漲幅依然較小。

根據(jù)TrendForce最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告,DRAM方面,DDR5價格已出現(xiàn)放緩跡象,預計2025年第三季度DRAM整體價格漲幅將有所減緩。NAND閃存方面,現(xiàn)貨價格自2月下旬以來上漲,目前已達到相對高位,購買動能正在降溫。具體情況如下:

 DRAM現(xiàn)貨價格

相較于DDR4產品,DDR5產品的現(xiàn)貨價格漲幅依然較小。不過,DDR5產品的平均現(xiàn)貨價格已相當高,部分價格甚至已超過合約價,因此近期漲勢有所放緩。模組廠和現(xiàn)貨貿易商對DDR4產品的報價接受度仍然較高。展望2025年第三季,預計現(xiàn)貨市場漲價幅度將有所收窄,合約價將逐步追趕現(xiàn)貨價,從而縮小兩者之間的價差。主流芯片(例如DDR4 1Gx8 3200MT/s)的平均現(xiàn)貨價格已從上周的2.180美元上漲至本周的2.460美元,漲幅達12.8%。

 NAND閃存現(xiàn)貨價格

現(xiàn)貨價格自2月底以來經(jīng)歷前期上漲后,目前已處于相對高位。隨著供應商積極推出補充產品,市場采購情緒明顯回落,詢價和成交均出現(xiàn)放緩。本周512Gb TLC Wafer現(xiàn)貨價格小幅下跌0.18%,報2.725美元,表明市場暫時處于觀望狀態(tài),市場動能尚顯不足。

AI應用的“火力全開”成為驅動存儲芯片市場需求快速提升的關鍵因素。隨著AI技術在各領域的深入應用,對存儲芯片的需求呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長。特別是在AI服務器領域,需求增長尤為顯著。2024年第二季度全球服務器市場收入達到了454.22億美元,與去年同期相比增長了35%,AI服務器在整體服務器市場中的占比也持續(xù)攀升,現(xiàn)已接近30%。

AI服務器是智算中心提供AI計算能力的核心硬件,專為滿足AI計算任務的高性能需求而設計。AI大模型需要用海量的數(shù)據(jù)進行訓練、推理等,對數(shù)據(jù)進行深度挖掘后,再推送給通用數(shù)據(jù)中心,數(shù)據(jù)規(guī)模、數(shù)據(jù)調配工序將呈現(xiàn)爆發(fā)式增長,數(shù)據(jù)中心內部流量傳輸將更加密集,因此,對存儲產品的需求也越來越高。

TrendForce此前指出,由于積極備貨的推動,第二季度的DRAM和NAND Flash合約價調漲幅度皆較預期擴大。然而,這波漲勢的動能可能僅限于第二季度,主要源于關稅敏感的美系品牌和有出口需求的廠商的存儲需求。由于90天的寬限期提前釋放,改變了傳統(tǒng)的季節(jié)性模式,美國關稅的最終走向將成為下半年存儲市場供需與價格變化的最重要觀察指標。

據(jù)悉,NAND閃存半導體價格連續(xù)3個月上漲,為存儲價格觸底的觀點增添了動能。隨著人工智能(AI)的普及,信息技術(IT)設備的需求預計將繼續(xù)擴大,這提高了包括三星電子和SK海力士在內的半導體生產商的預期。

存儲價格回升的原因是企業(yè)在經(jīng)濟衰退期間削減了大容量NAND的生產。市場研究公司TrendForce表示,“數(shù)據(jù)中心對企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD)的需求預計將在今年第二季度因AI行業(yè)的發(fā)展而暫時調整后恢復”,并補充說,“中國DeepSeek的推出將通過普及AI應用和擴大數(shù)據(jù)中心建設,進一步推動企業(yè)級SSD的需求?!?/p>

行業(yè)觀察人士預計,個人消費者購買AI移動設備的增加將進一步推動對存儲半導體的需求。市場研究公司Gartner預測,全球市場對生成式AI的支出將達到6440億美元,比去年增長76.4%。AI智能手機和PC等IT設備預計將占總支出的80%。

隨著半導體需求預期反彈,包括三星電子和SK海力士在內的存儲公司正在探索提高芯片價格或擴大生產的方案。全球第三大DRAM企業(yè)美光科技3月25日宣布漲價,稱“與存儲器半導體相關的各業(yè)務領域需求出現(xiàn)出乎意料的增長”。美國SanDisk(閃迪)也從4月起將NAND價格上調10%以上。

根據(jù)市場調研機構Counterpoint Research于4月9日發(fā)布的數(shù)據(jù),SK海力士以36%的全球DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)市場份額(按銷售額計算)首次超越三星電子(34%),成為行業(yè)新龍頭。這是自1992年以來,三星電子首次失去DRAM市場頭名位置,美光則以25%的份額位居第三。SK海力士的逆襲主要得益于其在高端產品高帶寬存儲器(HBM)領域的優(yōu)勢。

 
本文為轉載內容,授權事宜請聯(lián)系原著作權人。

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DDR5,漲勢放緩

相較于DDR4產品,DDR5產品的現(xiàn)貨價格漲幅依然較小。

文|半導體產業(yè)縱橫

相較于DDR4產品,DDR5產品的現(xiàn)貨價格漲幅依然較小。

根據(jù)TrendForce最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告,DRAM方面,DDR5價格已出現(xiàn)放緩跡象,預計2025年第三季度DRAM整體價格漲幅將有所減緩。NAND閃存方面,現(xiàn)貨價格自2月下旬以來上漲,目前已達到相對高位,購買動能正在降溫。具體情況如下:

 DRAM現(xiàn)貨價格

相較于DDR4產品,DDR5產品的現(xiàn)貨價格漲幅依然較小。不過,DDR5產品的平均現(xiàn)貨價格已相當高,部分價格甚至已超過合約價,因此近期漲勢有所放緩。模組廠和現(xiàn)貨貿易商對DDR4產品的報價接受度仍然較高。展望2025年第三季,預計現(xiàn)貨市場漲價幅度將有所收窄,合約價將逐步追趕現(xiàn)貨價,從而縮小兩者之間的價差。主流芯片(例如DDR4 1Gx8 3200MT/s)的平均現(xiàn)貨價格已從上周的2.180美元上漲至本周的2.460美元,漲幅達12.8%。

 NAND閃存現(xiàn)貨價格

現(xiàn)貨價格自2月底以來經(jīng)歷前期上漲后,目前已處于相對高位。隨著供應商積極推出補充產品,市場采購情緒明顯回落,詢價和成交均出現(xiàn)放緩。本周512Gb TLC Wafer現(xiàn)貨價格小幅下跌0.18%,報2.725美元,表明市場暫時處于觀望狀態(tài),市場動能尚顯不足。

AI應用的“火力全開”成為驅動存儲芯片市場需求快速提升的關鍵因素。隨著AI技術在各領域的深入應用,對存儲芯片的需求呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長。特別是在AI服務器領域,需求增長尤為顯著。2024年第二季度全球服務器市場收入達到了454.22億美元,與去年同期相比增長了35%,AI服務器在整體服務器市場中的占比也持續(xù)攀升,現(xiàn)已接近30%。

AI服務器是智算中心提供AI計算能力的核心硬件,專為滿足AI計算任務的高性能需求而設計。AI大模型需要用海量的數(shù)據(jù)進行訓練、推理等,對數(shù)據(jù)進行深度挖掘后,再推送給通用數(shù)據(jù)中心,數(shù)據(jù)規(guī)模、數(shù)據(jù)調配工序將呈現(xiàn)爆發(fā)式增長,數(shù)據(jù)中心內部流量傳輸將更加密集,因此,對存儲產品的需求也越來越高。

TrendForce此前指出,由于積極備貨的推動,第二季度的DRAM和NAND Flash合約價調漲幅度皆較預期擴大。然而,這波漲勢的動能可能僅限于第二季度,主要源于關稅敏感的美系品牌和有出口需求的廠商的存儲需求。由于90天的寬限期提前釋放,改變了傳統(tǒng)的季節(jié)性模式,美國關稅的最終走向將成為下半年存儲市場供需與價格變化的最重要觀察指標。

據(jù)悉,NAND閃存半導體價格連續(xù)3個月上漲,為存儲價格觸底的觀點增添了動能。隨著人工智能(AI)的普及,信息技術(IT)設備的需求預計將繼續(xù)擴大,這提高了包括三星電子和SK海力士在內的半導體生產商的預期。

存儲價格回升的原因是企業(yè)在經(jīng)濟衰退期間削減了大容量NAND的生產。市場研究公司TrendForce表示,“數(shù)據(jù)中心對企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD)的需求預計將在今年第二季度因AI行業(yè)的發(fā)展而暫時調整后恢復”,并補充說,“中國DeepSeek的推出將通過普及AI應用和擴大數(shù)據(jù)中心建設,進一步推動企業(yè)級SSD的需求?!?/p>

行業(yè)觀察人士預計,個人消費者購買AI移動設備的增加將進一步推動對存儲半導體的需求。市場研究公司Gartner預測,全球市場對生成式AI的支出將達到6440億美元,比去年增長76.4%。AI智能手機和PC等IT設備預計將占總支出的80%。

隨著半導體需求預期反彈,包括三星電子和SK海力士在內的存儲公司正在探索提高芯片價格或擴大生產的方案。全球第三大DRAM企業(yè)美光科技3月25日宣布漲價,稱“與存儲器半導體相關的各業(yè)務領域需求出現(xiàn)出乎意料的增長”。美國SanDisk(閃迪)也從4月起將NAND價格上調10%以上。

根據(jù)市場調研機構Counterpoint Research于4月9日發(fā)布的數(shù)據(jù),SK海力士以36%的全球DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)市場份額(按銷售額計算)首次超越三星電子(34%),成為行業(yè)新龍頭。這是自1992年以來,三星電子首次失去DRAM市場頭名位置,美光則以25%的份額位居第三。SK海力士的逆襲主要得益于其在高端產品高帶寬存儲器(HBM)領域的優(yōu)勢。

 
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