據(jù)《科創(chuàng)板日報》消息,三星電子已完成西安工廠工藝升級的第一階段,逐步淘汰了傳統(tǒng)的128層(V6)NAND閃存,并已開始量產(chǎn)236層(V8)產(chǎn)品。目前,三星電子正在籌劃進一步的升級,預(yù)計將于今年完成向286層(V9)NAND閃存的過渡。
來源:《科創(chuàng)板日報》
原標(biāo)題:三星電子開始量產(chǎn)236層NAND閃存

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預(yù)計將于今年完成向286層(V9)NAND閃存的過渡。
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據(jù)《科創(chuàng)板日報》消息,三星電子已完成西安工廠工藝升級的第一階段,逐步淘汰了傳統(tǒng)的128層(V6)NAND閃存,并已開始量產(chǎn)236層(V8)產(chǎn)品。目前,三星電子正在籌劃進一步的升級,預(yù)計將于今年完成向286層(V9)NAND閃存的過渡。
來源:《科創(chuàng)板日報》
原標(biāo)題:三星電子開始量產(chǎn)236層NAND閃存
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預(yù)計將于今年完成向286層(V9)NAND閃存的過渡。
界面陜西 · 2026/03/30 15:36
據(jù)《科創(chuàng)板日報》消息,三星電子已完成西安工廠工藝升級的第一階段,逐步淘汰了傳統(tǒng)的128層(V6)NAND閃存,并已開始量產(chǎn)236層(V8)產(chǎn)品。目前,三星電子正在籌劃進一步的升級,預(yù)計將于今年完成向286層(V9)NAND閃存的過渡。
來源:《科創(chuàng)板日報》
原標(biāo)題:三星電子開始量產(chǎn)236層NAND閃存