8月22日，東芝電子元件與天岳先進(jìn)就天岳先進(jìn)開發(fā)制造的SiC功率半導(dǎo)體用襯底達(dá)成基本協(xié)議，雙方將開展以下合作：針對SiC功率半導(dǎo)體特性提升與品質(zhì)改善的技術(shù)協(xié)作，以及運(yùn)用合作成果擴(kuò)大高品質(zhì)穩(wěn)定襯底供應(yīng)的商業(yè)合作。