3月13日，據(jù)報(bào)道，三星電子正在與英偉達(dá)合作加速開發(fā)下一代NAND閃存芯片。

由三星半導(dǎo)體研究所、英偉達(dá)及佐治亞理工學(xué)院組成的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)，成功開發(fā)出一種“物理信息神經(jīng)算子”模型。該模型分析鐵電基NAND設(shè)備性能的速度，比現(xiàn)有模型快逾萬倍，相關(guān)成果已對外公布?；谙嚓P(guān)研究成果，三星正與英偉達(dá)合作開發(fā)和商業(yè)化鐵電NAND閃存。