2月6日消息，據報道，三星電子計劃今年將基于10納米工藝的第六代（1c）DRAM（用于HBM4）產量提升約170%。三星制定戰(zhàn)略，將在韓國京畿道平澤第四工廠安裝設備，計劃明年第一季度實現月產10萬至12萬片DRAM晶圓；該生產線將全面配備制造HBM4用1c DRAM的設備。三星當前1c DRAM月產能為7萬片晶圓。